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品牌	昊量光電	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	綜合

超分辨量子顯微鏡 (3D磁電流顯微鏡）

提供一種用于異構(gòu)集成和封裝失效分析的超分辨率量子顯微鏡系統(tǒng)。該技術(shù)利用高靈敏度磁電流成像（MCI）提取多層信息，可深入查看集成電路內(nèi)芯片堆疊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

超分辨量子顯微鏡（3D磁電流）產(chǎn)品特點(diǎn)：

疊層失效的橫向和深度定位

高橫向/深度分辨率（分別低至200 nm和1μm）、寬視場(chǎng)（高達(dá)4 mm）的3D磁成像能力使我們能夠?yàn)椴煌瑢觿?chuàng)建電流圖像，識(shí)別短路和真正的開路。

樣品制備簡(jiǎn)單

由于磁場(chǎng)可不受影響地穿過cmos材料，因此需要的樣品制備只是de-capping。

強(qiáng)大的QD軟件

軟件利用專門開發(fā)的機(jī)器學(xué)習(xí)和后處理算法，可在幾分鐘內(nèi)獲得結(jié)果。

室溫、環(huán)境條件、穩(wěn)健運(yùn)行

無需特別條件即可輕松識(shí)別故障。

1. TOP image 顯示了一個(gè)樣品的磁場(chǎng)圖，其中3個(gè)不同層同時(shí)位于不同深度的活動(dòng)電流。層間距為85μm。

2. Left column（灰色）顯示了從總圖像中提取的各個(gè)單獨(dú)層。

3. Right column（藍(lán)色）顯示了產(chǎn)生磁場(chǎng)的各個(gè)層內(nèi)提取的電流。

超分辨量子顯微鏡（3D磁電流）參數(shù)指標(biāo)：

系統(tǒng)參數(shù)

側(cè)向分辨力（xy)	達(dá)200nm
深度分辨力（z)	達(dá)1um
視場(chǎng)范圍	達(dá)4mm×4mm
基底噪聲	150nT (DC) （AC可達(dá)10nT）
頻率范圍	DC-4GHz (AC)
靈敏度	10 μT/√Hz （DC），1 nT/√Hz （AC）
測(cè)量時(shí)間	5-10min (type)

一般規(guī)格

系統(tǒng)尺寸（W x L x H)	0.7 m x 0.7 m x 1.7 m
系統(tǒng)重量	~350kg
XYZ位移臺(tái)	300mm x 300 mm x 20 mm (行程）
功耗	2 kW (max )
制冷方式	風(fēng)冷

**具體使用詳情，可咨詢上海昊量光電設(shè)備有限公司。

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關(guān)于昊量光電：

上海昊量光電設(shè)備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè)代理商，產(chǎn)品包括各類激光器、光電調(diào)制器、光學(xué)測(cè)量設(shè)備、光學(xué)元件等，涉及應(yīng)用涵蓋了材料加工、光通訊、生物醫(yī)療、科學(xué)研究、國(guó)防、量子光學(xué)、生物顯微、物聯(lián)傳感、激光制造等；可為客戶提供完整的設(shè)備安裝，培訓(xùn)，硬件開發(fā)，軟件開發(fā)，系統(tǒng)集成等服務(wù)。

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超分辨量子顯微鏡（3D磁電流）

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